ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

Заказать  курсовую

Заказать курсовую

Китайские косметические средства

Интернет-магазин Olympus

Интернет-магазин Olympus

Интернет-магазин одежды и обуви Lamoda

ТехносилаТехносила

KupiVip – крупнейший онлайн-магазин

Уборка   квартир в Москве

Уборка квартир в Москве

Гироскутер SmartWay

Женский Интим-гель

Подарки

Мужское портмоне-клатч. Не раздумывай дари

Туризм, путешествия: Бронирование отелей
Подбор тура в Прагу
Туризм в Испании
Туризм, достопримечательности и курорты Италии
Интернет магазины
Интернет-магазин одежды и обуви Lamoda
Чайная пятница - магазин чая
Техносила
KupiVip – крупнейший онлайн-магазин
Интернет-магазин Olympus
Mascotte: особенная обувь
Стройная фигура
Fito Slim Balance уникальный коктейль для похудения
Леггинсы для похудения Hot Shapers
Леджинсы Slim Jeggings
Биокерамическое белье Фир Слим
Профессиональный блокатор калорий
MAGNET DIET - браслет с магнитами для похудения
Acai Fito Cocktail для похудения
Невидимый бюстгальтер Bare Lifts
Chokolate Slim - комплекс для похудения
Косметика
White Light - отбеливание зубов
Pink Luna для очистки кожи
Мыло с вулканическим пеплом
Духи с феромонами мужские
Мыло с вулканическим пеплом
Platinus V Professional для роста волос
Magic Glance - средство для ресниц
J'adore L'Absolu от Dior
Здоровье
Спрей для роста волос Beautiful hair
Медицинская подушка - для лечения сердца
Пластырь от варикоза
Power Perfect Pore - вакуумный очиститель лица
Renoven - антиварикозный бальзам
Монастырский чай желудочный
Гранатовая Эмульсия Hendel
Anti Diabet Nano - капли от диабета
Anti Psori NANO - гель от псориаза
Браслет Бяньши
Жидкий каштан НАЙТ
Трансдермальные пластыри от геморроя
Immunity - капли для иммунитета
Лимонник китайский
Монастырский чай
Прямая доставка чая из Китая
Монастырский сироп
Cream of varicose
Китайский пластырь от псориаза
Квантовый защитный амулет "Душа Ангела"
Услуги
Уборка квартир в Москве
Курсы рисования для взрослых в студиях Москвы и онлайн
Экспресс онлайн-курс рисования в школе Вероники Калачевой
Спорт
Ab Gymnic - пояс для похудения
TRX Home - тренажер
Тренажер для пресса Wonder Core Smart
Тренажер Лунный степпер
Минивелотренажер Аэрофит
Транспорт
Лучший способ купить авиабилеты дешево
CAR DVR MIRROR - видеорегистратор
Гироскутер SmartWay
Сигвей SMART BOARD
Мотосигнализация Pandect X-1100 moto
GPS-навигатор Prology iMap-580TR
Детский электромобиль JAGUAR
Моноколесо Roadweller
Товары для дома
Форма-трафарет Садовая дорожка
Волшебные листья Таиланда
LILO - матрасы для беременных
Машинка для суши «INSTANT ROLL»
Фонарь-электрошокер
Star-Master- ночник проектор звездного неба
Набор вакуумных пакетов
A8 PET Tracker - охранная система
Отпугиватель грызунов и насекомых Pest-Reject
LEDCRYSTAL - магазин светодиодной брусчатки
Термос Bullet
Товары для детей
Онлайн-гипермаркет лучших товаров для детей
Спрей AirFit от ОРВИ и гриппа
Магазин одежды Peoplum
Подарки
Fir Slim - антицеллюлитное бельё
Часы Tissot Couturier
Часы-браслет Pandora + серьги Dior
Pedi Spin - прибор для педикюра
Швейцарские часы в Минске и Беларуси
Летающий спутник
Часы Pandora Gold
Nikon D5200 Kit AF-S DX
Электронная книга Digma
Emporio Armani мужские часы
Плойка для волос Tulip Instyler
Маска из феноменального фильма - Пила
Модель Steel Rage
Часы Tag Heuer (кварц)
Часы Hublot механические
Часы Rado
Радиоуправляемый квадрокоптер
Эротика
Витегра – БАД для усиления потенции
Соблазн возбуждающая жвачка
XL Sperm Spray - интимный спрей для мужчин
Твой стиль
Академия Моды и Стиля
Luxury Case именной чехол для телефона
Рюкзак SWISSGEAR
Беспроводные наушники AirBeats
Электроника
iCharger - портативное зарядное устройство
Переводчик ASSISTANT
Комплект Триколор-ТВ Full HD
Phone 6 и 6 Plus
Прибор для экономии электроэнергии
JBL Pulse - беспроводная колонка
Игровая приставка Hamy4
КОЛОНКА BEATS PILL
Колонка BEATS PILL XL

Наушники NIKE

 
Электротехника
Полупроводниковые диоды
Выходная характеристика
Транзистор как активный четырёхполюсник
Биполярные транзисторы
Варикапы
Лабораторный стенд
Униполярные (полевые) транзисторы
Полевые транзисторы с изолированным затвором
Сопромат Лабораторный практикум
Построение эпюр нормальных сил
Дан прямой стержень кусочно-постоянного сечения
Проверить прочность стального стержня
Перемещения поперечных сечений брусьев
Расчеты на растяжение и сжатие
Построение эпюр нормальных сил и напряжений
Влияние температуры на напряжение и деформации
Учет подвижной статической нагрузки
Плоские статические определимые фермы
Расчет шпренгельных ферм
Статически определимые арки
Определение перемещений Интеграл Мора
Статически неопределимые арки
Бесшарнирная арка
Определить координаты центра тяжести
Определить статические моменты
Осевые моменты инерции плоских составных сечений
Сдвиг
Дополнительные задачи на сдвиг
Расчет напряжений и деформаций валов
Расчеты на прочность и жесткость валов
Статически неопределимые задачи на кручение
Построить эпюры крутящих моментов
Расчет винтовых пружин с малым шагом
Плоский изгиб
Эпюры главных напряжений при изгибе
Сварная балка
Сложное сопративление
Внецентренное растяжение и сжатие бруса большой жесткости
Совместное действие изгиба и кручения
Расчет кривых брусьев малой кривизны
Расчет толстостенных труб
Действие динамических нагрузок
Упругий удар
Вынужденные колебания систем
Неупругое деформирование
Построение эпюр прогибов упругой оси балки
Аналитический расчет кривых брусьев малой кривизны
Лабораторный практикум
Опытная проверка теории косого изгиба
Физика
Элементы квантовой механики
Молекулярные спектры
Полупроводники
Ядерная физика
Кинематика примеры задач
Лабораторные работы
 
Основы архитектуры
Начертательная геометрия

Биполярные транзисторы

 Биполярным транзистором называют полупроводниковый прибор с тремя выводами, имеющий два взаимодействующих электронно-дырочных перехода, которые образованы между тремя областями с чередующимися типами проводимости. В зависимости от порядка чередования областей различают транзисторы p-n-p- и n-p-n- типов.

 Средняя область называется базой (Б). Переход, к которому приложено прямое напряжение, называют эмиттерным, а соответствующую наружную область – эмиттером (Э). Другой переход, смещенный в обратном направлении, называют коллекторным, а соответствующую наружную область – коллектором (К).

 


 

Рис. 7

 При изготовлении транзистора методом вплавления (рис.7а), базой его служит пластинка германия или кремния, например n-типа, на которую с двух сторон наплавляют капли акцепторной примеси, например индия.

В приграничных слоях между германием и индием образуются p-области, представляющие эмиттер и коллектор, расстояние между которыми (толщина базы) очень маленькое.

 Кроме того, концентрация атомов примеси в области базы должна быть во много раз ниже, чем в области эмиттера. Это условие очень важно для работы транзистора.

 Более совершенным является диффузионный метод изготовления транзисторов, при котором в пластинке кремния n-типа (рис.7б) с помощью фотолитографии формируют базовую и эмиттерную области, коллектором в такой n-p-n-структуре служит исходная пластинка кремния n-типа.

 Рассмотрим принцип действия транзистора на примере p-n-p- структуры. Между базой и эмиттером к транзистору подают прямое напряжение Uбэ, для которого эмиттерный переход открыт и, следовательно, под действием напряжения в доли вольта через него потечет значительный прямой ток эмиттера Iэ. 

 В транзисторах концентрация носителей в базе во много раз ниже, чем в эмиттере, поэтому ток Iэ создается в основном дырками, инжектированными эмиттером в базу.

 Введенные в базу дырки пытаются рекомбинировать со свободными электронами базы, но так как последних мало, а область базы узкая, подавляющее большинство дырок успевает пройти через базу и достигнуть коллекторного p-n-перехода, прежде чем произойдет рекомбинация. Небольшая же часть рекомбинированных дырок создает ток базы Iб (рис.8а).

  Пройдя к коллектору, дырки начинают испытывать ускоряющее действие p-n-перехода коллектора. Это поле для дырок является ускоряющим, и они вытягиваются из базы в коллектор, “собираются им”, создавая ток коллектора Iк.

 Учитывая небольшой процент дырок, рекомбинирующих с электронами в базе, можно считать, что , где =0,95 ¸ 0.99 – коэффициент передачи тока эмиттера.

  Так как напряжение Uбк является обратным, оно в десятки раз может превышать напряжение Uбэ, которое, будучи прямым, является входным для транзистора и определяется вольтамперной характеристикой p-n-перехода. Входной ток транзистора Iэ и его выходной ток Iк примерно равны. Поэтому мощность на выходе схемы Uбк·Iк может оказаться намного больше, чем затрачиваемая во входной цепи Uбэ·Iэ. Это положение определяет усилительные свойства транзистора.

 Принцип действия транзистора n-p-n-типа отличается только тем что носителями зарядов в нем служат не дырки, а свободные электроны (рис.8б).

 Для исследования свойств транзистора приложим входное напряжение Uбэ и измерим выходной ток Iк как функцию выходного напряжения Uкэ.

 Iк >0

 

 

 Путем ступенчатого повышения входного напряжения получим семейство выходных характеристик (рис.9а).

 

 Рис. 9

 Особенностью транзистора является тот факт, что коллекторный ток мало изменяется после достижения Uкэ – определенного значения. Напряжение, при котором характеристика имеет изгиб, называется напряжением насыщения. Другой особенностью является то, что малого изменения входного напряжения оказывается достаточно для того, чтобы вызвать относительно большое изменение коллекторного тока. Это видно на проходной характеристике, изображенной на рис.9б, которая представляет собой зависимость Iк от Uбэ. Проходная характеристика транзистора, как и диода, имеет вид экспоненциальной функции , где Is – обратный ток коллектора. Изменение коллекторного тока Iк в зависимости от Uбэ характеризуется крутизной S:

  , при Uкэ=const. Эту величину можно рассчитать, используя теоретическую зависимость Iк(Uбэ): . Таким образом, крутизна пропорциональна коллекторному току и не зависит от индивидуальных свойств каждого  транзистора, поэтому для ее определения не требуется измерений.

 Зависимость коллекторного тока от напряжения Uкэ характеризуется дифференциальным выходным сопротивлением , при Uбэ=const. С высокой точностью сопротивление rкэ обратно пропорционально Iк, т.е.  - где коэффициент пропорциональности. Uу называется напряжением Эрли. Его можно определить, измерив rкэ. Типовое значение Uу находится в пределах 80÷200 В для n-p-n-транзисторов и 40÷150 В для p-n-p- транзисторов.

  Для описания входной цепи транзистора как нагрузки, соединенной с входным источником напряжения, вводят дифференциальное входное сопротивление , при Uкэ = const. Его можно определить по входной характеристике Iб = f(Uбэ) (рис.10).

 Iб μА

 Эта характеристика, как и проходная характеристика, описывается экспоненциальной функцией. 

 Коэффициент пропорциональности  называют коэффициентом статического усиления по току. Однако пропорциональность имеет место только в ограниченной области тока, так как β зависит от Iк.

 Дифференциальный коэффициент усиления по току в рабочей точке определяется выражением  при Uкэ= const. Зная β и крутизну можно рассчитать входное сопротивление rбэ: . При малых сигналах транзисторы характеризуются коэффициентом обратной передачи по напряжению:  при Iб=const. Абсолютное значение его не превышает 10-4. Поэтому, влиянием обратной передачи практически можно пренебречь. При высоких частотах обратную передачу все же приходится учитывать.

Построить проекции http://fislub.ru/ Исследовать систему уравнений и найти общее решение
Электротехника лабораторные работы